2023年，SiC衬底出货量将劲增22%

    对 SiC 晶圆的高需求是由于硅基功率器件接近其物理极限，特别是对于高速或大功率应用。宽带隙半导体代表了当前替代品中最有前途的，而 SiC 在材料特性和供应链成熟度方面都处于最前沿。此外，电动汽车、充电基础设施、绿色能源生产和更高效的功率器件的需求总体上推动了对 SiC 的更高需求。

    虽然 SiC 越来越受欢迎，但该材料的化学特性使其难以将晶锭加工成实际晶圆。这导致SiC晶圆市场供不应求。为了在过去几年增加晶锭供应，大量公司进入或宣布了 SiC 晶锭增长能力的重大扩张，但很少有公司真正进入芯片服务市场。

    Wolfspeed、安森美和意法半导体等垂直整合的 SiC 器件公司正在弥补这一差距，这些公司能够在内部平衡自己的生产能力。其他公司正试图通过提供流程服务来弥补这一差距，例如 X-trinsic 和 Halo Industries。

    面对如此快速成长的需求，积极扩产成为当年头部厂商的关键词之一。

    目前在SiC衬底方面，Wolfspeed以60%的市场份额占据绝对主导地位，但随着后来者积极参与竞争，这种格局或许存在变化空间。诸如ST对8英寸晶圆的积极推进，其在2022年底还宣布与SiC晶圆头部公司Soitec合作引进晶圆制造技术；Ⅱ-Ⅵ（已更名Coherent）、罗姆等也在积极扩充产能。器件领域，英飞凌、安森美等头部厂商也在年初即提出大幅度扩产计划。

    安森美高层曾公开表示，预计5-10年SiC市场依然将比较紧缺，这也是公司持续扩充产能的动力所在。Wolfspeed也认为，需求显然超过了供应，当前硅基半导体行业处在周期性衰退，SiC则有长期发展前景。

    不只是厂商自身的产能扩张，放眼这几年间，SiC产业链环节也在积极向外扩充能力。安森美是其中对SiC尤为重视的厂商之一。2021年末，其收购SiC生产商GTAT后，已经实现从SiC衬底到封装的全产业链能力覆盖。

    根据证券时报数据显示，作为A股IGBT龙头，斯达半导连续两年保持翻倍增长，去年公司实现净利润约8亿元，今年一季度净利润实现约2亿元，同比增长约36%，并且公司持续布局SiC赛道：2020年公司投资约2亿元建设全SiC功率模组产业化项目，投资建设年产8万颗车规级全SiC功率模组生产线和研发测试中心；2022年公司完成定增募资35亿元，用于投资IGBT和SiC芯片项目等。最新进展显示，公司车规级SiC模块开始在海外市场小批量供货，另外，使用公司自主芯片的车规级SiC MOSFET模块预计2023年开始在主电机控制器客户批量供货。

    宏微科技业绩也迎来大爆发，今年一季度净利润同比增长1.53倍。据介绍，公司订单饱满， SiC二极管研发成功并实现小批量供货。公司高管在接受机构调研中介绍，2022~2023年公司推出了第一代平面SiC MOS，预计2024~2025年开发出沟槽产品；应用场景来看，SiC MOS产品主要应用于电动汽车，SiC二极管产品应用于光伏领域。

    4月20日，扬杰科技公告计划投资10亿元在江苏扬州建设6英寸SiC晶圆产线，规划产能5000片/月，后续拟进一步布局6~8英寸SiC芯片生产线建设。目前扬杰科技已经向市场推出SiC模块及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列产品，SiC MOSFET已取得关键性进展。扬杰科技还通过投资控股湖南楚微半导体，进一步完善了公司在晶圆制造上的核心能力，形成了比较完备的晶圆产品制造能力。根据规划，楚微半导体二期建设规划为新增3万片/月的8英寸硅基芯片生产线项目和5000片/月的6英寸SiC基芯片生产线项目。

    此外，东微半导去年净利润接近翻倍达到2.84亿元，今年一季度净利润同比增长近五成。其中，公司在SiC器件首次实现营业收入；燕东微披6英寸SiC SBD（肖特基二极管）产品处于小批量量产，1200V SiC MOSFET首款样品在性能评测中。