英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场
发布日期:2023-12-30
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英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证，适用于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。
在激光雷达领域，氮化镓器件的Qg、Qoss等参数相比硅器件提升1.5~3倍；与早期激光雷达产品相比，采用氮化镓能够将开关速度提升13倍，脉冲宽度减小五分之一。当前，L2辅助驾驶使用MOS方案识别距离只有100m，L2+/L3辅助驾驶必须达到200m/300m的中远距离识别，只有使用窄脉冲、大峰值电流、高功率的氮化镓方案，才能为自动驾驶激光雷达提供高性能保障。
产品特性
• 通过AEC-Q101认证，车规级
• 极低的栅极电荷
• 超小封装 WLCSP 2.13mm x 1.63mm
• 零反向恢复充电电荷
应用领域
• 激光雷达
• 高功率密度DC-DC变换器
• D类音频
• 高强度前照灯
产品优势
• 相比硅器件，Qg、Qoss等参数有1.5~3倍的提升
• 相比硅器件，开关速度提升13倍，脉冲宽度减小到硅器件的1/5
• 达到200m/300m的中远距离识别，满足L2+/L3辅助驾驶
INN100W135A-Q 规格书首页
2021年，英诺赛科（珠海）通过 IATF 16949 车规级认证，采用InnoGaN的激光雷达产品成功“上车”；2023年，英诺赛科（苏州）通过 IATF 16949 车规级认证，新一代100V 低压GaN 完成AEC-Q101认证并成功量产，批量订单交付中。
INN100W135A-Q 产品规格书与仿真模型均可在英诺赛科官网（www.innoscience.com）获取，样品需求请联系销售或后台私信小编。
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品，涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类，并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量突破4亿颗。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。
英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！
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