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英飞凌推出适用于高能效电动汽车快充的650V CoolMOS CFD7A

发布日期:2023-12-04 点击次数:242
    向电动汽车的加速转型推动汽车充电系统取得了重要的创新成果,这愈发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出QDPAK封装,进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比,采用QDPAK封装的产品系列具有同等的散热能力,但电气性能更高,能够在车载充电器和DC-DC转换器中实现高效的能源利用。
650 V CooMOS CFD7A
    高效且强大的电动汽车充电系统有助于缩短充电时间、减轻汽车重量、提高设计灵活性并降低汽车的总体拥有成本。这一新产品系列通过顶部和底部冷却封装实现了多种功能和优势特性,是对现有CoolMOS CFD7A产品系列的有效补充。QDPAK TSC(顶部冷却)封装使设计人员能够实现更高的功率密度和更佳的PCB空间利用率。
    650 V CoolMOS CFD7A提供了支持在高压应用中可靠运行的多项重要功能。由于降低了寄生电感,该器件可以最大程度地减少电磁干扰(EMI),确保清晰的信号和稳定的性能。开尔文源极引脚提高了电流检测的精度,即使在恶劣条件下也能保证测量的准确性。该器件具有适合高压应用的爬电距离,以及在25°C温度环境下高达694 W的大电流能力和高功率耗散(Ptot)能力,是一款适用于各种高压应用的强大通用器件。
    采用基于QDPAK TSC封装的650 V CoolMOS CFD7A器件,进行新系统设计,将最大限度地利用PCB空间,使功率密度加倍,并通过板级去耦加强散热管理。这种方法简化了装配、避免了电路板堆叠,并减少了对连接器的需求,从而降低了系统成本。该电源开关可降低高达35%的热阻,提供比标准冷却解决方案更优的高功率耗散能力。
    该特性克服了在底部冷却SMD设计中采用FR4 PCB所带来的热限制,显著提高了系统性能。经过优化的电源环路设计将驱动器置于电源开关附近,通过降低杂散电感和芯片温度来提高可靠性。总之,这些特性有助于构建一个具有高成本效益、稳健、高效的系统,能够很好地满足现代化的充电需求。
    正如2023年2月所宣布的,适合高功率应用的QDPAK TSC封装已注册为JEDEC标准,通过统一的标准封装设计和占板面积,推动TSC封装在新型设计中的广泛采用。为进一步加快这一转型,英飞凌还将于2024年发布更多用于车载充电器和DC-DC转换器的、采用QDPAK TSC封装的车规级器件,例如750 V CoolSiC™器件和1200 V CoolSiC™器件等。
供货情况
    650 V CoolMOS CFD7A器件采用了QDPAK封装,共有两个版本,分别采用了顶部冷却(TSC)封装和底部冷却(BSC)封装两种形式。两个版本现在均可订购。如需了解更多信息,请访问www.infineon.com/cfd7a。
关于英飞凌
    英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
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英飞凌中国
    英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
 






















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