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MX3N10G 牧芯微MX3N10GN沟MOS,100V输入电压,2.2A输出电流,适用于雾化器上,所以也叫雾化专用MOS,MX3N10G提供SOT23.SOT89-3SOT223三种封装 SOT23 SOT89-3 MX3N10G
TXY8205 MOS管 输入电压:20V 输出电流:7A.适用于电池供电设备,电池保护板,通信产品 SOT23-6 TXY8205
9926 MOS管 输入电压:20V 输出电流:8A。适用于电池供电设备,电池保护板, 通信产品 SOP8 9926
PE4025KC PE4025KC是N-Channel:VDS=40V,ID=16A,RDS(ON)<18mΩ,@VGS=10V,RDS(ON)<25mΩ,@VGS=4.5V.P-Channel:VDS=-40V,ID=-13A,RDS(ON)<32mΩ,@VGS=-10V,RDS(ON)<48mΩ,@VGS=-4.5V的N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE4025KC的丝印是PE4025KC.PE4025KC提供TO-252-4L封装. TO-252-4L PE4025KC
PE4013SA PE4013SA是VDS=40VID=13A,RDS(ON)<10mΩ,@VGS=10V,RDS(ON)<13mΩ,@VGS=4.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE4013SA的丝印是PE4013SA.PE4013SA提供SOP-8封装. SOP-8 PE4013SA
PE3024KC PE3024KC是N-Channel:VDS=30V,ID=18A,RDS(ON)<14mΩ,@VGS=10V,RDS(ON)<20mΩ,@VGS=4.5V.P-Channel:VDS=-30V,ID=-14A,RDS(ON)<29mΩ,@VGS=-10V,RDS(ON)<43mΩ,@VGS=-4.5V的N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET. PE3024K提供TO-252-4L封装. TO-252-4L PE3024KC
PE2333A PE2333A是VDS=-18VID=-6A,RDS(ON)<28mΩ,@VGS=-4.5V,RDS(ON)<40mΩ,@VGS=-2.5V的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE2333A提供SOT-23封装. SOT-23 PE2333A
PE2319 PE2319是VDS>-18VID=-7A,RDS(ON)<21mΩ,@VGS=-4.5V,RDS(ON)<28mΩ,@VGS=-2.5V的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE2319提供SOT-23-3L封装. SOT23-3L PE2319
PE2301A PE2301A是VDS=-20VID=-3ARDS(ON)<110mΩ@VGS=-4.5VRDS(ON)<140mΩ@VGS=-2.5V的P-Channel MOSFET.PE2301A的丝印是a.NC3A.PE2301A提供SOT-23封装. SOT-23 PE2301A
PE2023 PE2023是VDS=-20VID=-3.2ARDS(ON)<95mΩ@VGS=-4.5VRDS(ON)<120mΩ@VGS=-2.5V的P-Channel MOSFET.PE2023提供SOT-23-6L封装. SOT-23-6L PE2023
PE2012 PE2012是VDS=18VID=12A,RDS(ON)<11mΩ,@VGS=4.5V,RDS(ON)<12mΩ,@VGS=3.8V,RDS(ON)<13mΩ,@VGS=2.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE2012提供TSSOP-8封装. TSSOP-8 PE2012
PE2012T PE2012T是VDS=18VID=12A,RDS(ON)<11mΩ,@VGS=4.5V,RDS(ON)<12mΩ,@VGS=3.8VRDS(ON)<13mΩ,@VGS=2.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE2012T提供TSSOP-8封装. TSSOP-8 PE2012T
JMTM8205A JMTM8205A是VDS=20VID=5ARDS(ON)<26mΩ@VGS=4.5VRDS(ON)<34mΩ@VGS=2.5V的Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET.JMTM8205A提供SOT23-6L封装. SOT23-6L JMTM8205A
JMTJ100N02A JMTJ100N02A是VDS=20VID=8ARDS(ON)<14mΩ@VGS=4.5VRDS(ON)<22.5mΩ@VGS=2.5V的N-channel MOSFET.JMTJ100N02A提供SOT23-3L封装. SOT23-3L JMTL2312A
PE1905 PE1905是VDS=-16VID=-9A,RDS(ON)<15mΩ,@VGS=-4.5V,RDS(ON)<22mΩ,@VGS=-2.5V的P-Channel MOSFET.PE1905提供UDFN2x2-6L封装. UDFN2x2-6L PE1905
PE0103A PE0103A是VDS=100VID=2.5A,RDS(ON)<175mΩ,@VGS=10V的N-Channel MOSFET.PE0103A提供SOT-23封装. SOT-23 PE0103A
PE20P13S PE20P13S是VDS=-20VID=-13A,RDS(ON)<10mΩ,@VGS=-10V,RDS(ON)<12mΩ,@VGS=-4.5V,RDS(ON)<15mΩ,@VGS=-2.5V的P-Channel MOSFET.PE20P13S提供SOP-8封装. SOP-8 PE20P13S
PE20P11S PE20P11S是VDS=-20VID=-11A,RDS(ON)<13mΩ,@VGS=-10V,RDS(ON)<15mΩ,@VGS=-4.5V,RDS(ON)<18mΩ,@VGS=-2.5V的P-Channel MOSFET.PE20P11S提供SOP-8封装. SOP-8 PE20P11S
PE15D11 PE15D11是VDS=-18VID=-7A,RDS(ON)<23mΩ,@VGS=-4.5V,RDS(ON)<30mΩ,@VGS=-2.5V的P-Channel MOSFET.PE15D11提供TSSOP-8封装. TSSOP-8 PE15D11
MXN4015 MXN4015是VDS=40V,ID=35A,@VGS=10V,RDS(ON)(Typ.)=7.4mΩ,@VGS=4.5V,RDS(ON)(Typ.)=10mΩ的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.MXN4015提供PDFN3X3-8L封装。 PDFN3X3-8L MXN4015.pdf

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