服务热线: 13823761625

产品中心

联系我们

当前位置:网站首页 >> 产品中心 >> Mosfet类 >> 单P-MOS

单P-MOS

HY400P10LR1D/U/V

    HY400P10LR1D/U/V是VDS=-100V,ID=-40A,RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=-10V,
RDS(ON)=48mΩ(typ.)@VGS=-4.5V的P沟道增强型MOSFET.

    HY400P10LR1D/U/V提供TO-252-2L/TO-251-3L/TO-251-3S三种封装。
    HY400P10LR1D/U/V概述:
        HY400P10LR1D/U/V是VDS=-100V,ID=-40A,RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=-10V,RDS(ON)=48mΩ(typ.)@VGS=-4.5V的P沟道增强型MOSFET.
        HY400P10LR1D/U/V提供TO-252-2L/TO-251-3L/TO-251-3S三种封装。

    HY400P10LR1D/U/V特性:
    -100V/-40A
    RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=-10V
    RDS(ON)=48mΩ(typ.)@VGS=-4.5V
    100% Avalanche Tested
    Reliable and Rugged
    Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)

    HY400P10LR1D/U/V应用:
    Portable equipment and battery powered systems
    DC-DC Converters
    Motor control.

    HY400P10LR1D/U/V封装示意图:


    HY400P10LR1D/U/V典型应用图:


    请提交您的基本信息,我们将会尽快与您联系!

    *

    *

    *

    *

相关产品