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升降压芯片

ME2170

    ME2170是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成的CMOS升压型DC/DC LED驱动。

    由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。

    另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻 (RSENSE) 来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE)设定为107mV,因此可减少在R SENSE 端产生的损耗。

    ME2170外围的输出电容可使用陶瓷电容器。并且,采用了SOP8封装,散热性好,可适用于高密度安装高精度高效率的应用。
    ME2170概述:
        ME2170是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成的CMOS升压型DC/DC LED驱动。
        由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。
        另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻 (RSENSE) 来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE)设定为107mV,因此可减少在R SENSE 端产生的损耗。
        ME2170外围的输出电容可使用陶瓷电容器。并且,采用了SOP8封装,散热性好,可适用于高密度安装高精度高效率的应用。


    ME2170特性:
    可自由设置恒流大小:如当设定 R SENSE =143mΩ时,恒流值是 750mA。
    输入范围:2.5~6V
    带载输出:2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED
    设置 V OUT =12V 时,推荐 Vin 不低于 3.1V
    工作频率:1.0MHz
    基准电压:1.25V
    消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)
    软启动时间: 2 ms(典型值)
    UVLO (欠压锁定) 功能:VDD<2.3V
    外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻


    ME2170应用:
    2串(≤9W)LED灯
    3串(≤9W)LED灯


    ME2170典型应用图:





    ME2170选型指南:

    产品型号 产品说明
    ME2170ASG 内置 MOS,封装形式:SOP8



    ME217产品引脚图:


    ME2170脚位功能说明:


    ME2170功功能示意图:


    ME2170工作原理:
        ME2170是升压型DC-DC控制器。芯片开始上电以后,若输入电压较低,则芯片进入欠压锁定保护状态;当VDD电压大于 2.4V 以后,芯片脱离欠压锁定状态并使能芯片的使能控制端,然后芯片开始正常工作。芯片内部有软起动电路,时间为 2ms。经过 2ms 以后,内部振荡器开始工作。升压型DC-DC控制器在增强型N沟道功率MOSFET为ON 时,可通过输入电压 (VIN) 开始供应电流,与此同时,将能量累积到电感器中。随后,增强型 N 沟道功率 MOSFET 为 OFF 时,会释放出累积在电感器中的电流,因此 CONT 端子电压被升压,电流通过二极管释放到 VOUT 端。释放出的电流累积到输出.


    ME2170封装信息:
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