LTK5129概述:
  LTK5129 是一款5.5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
  LTK5129通过一个MODE管脚可以方便地切换为AB类模式，完全消除EMI干扰。工作电压2.5V-5.5V，在D类放大器模式下可以提供高于90%的效率，新型的无滤波器结构可以省去传统D类放大器的输低通滤波器，从而节省了系统成本和PCB空间，是便携式应用的理想选择。
  LTK5129采用独有的DRC（Dynamic range control）技术，降低了大功率输出时，由于波形切顶带来的失真，相比同类产品，动态反应更加出色。
  LTK5129采用ESOP-8封装。

无滤波的 D 类/AB 类放大器、低静态电流和低 EMI

FM 模式无干扰

优异的爆破声抑制电路

低底噪、低失真

DRC 动态失真矫正电路

10% THD+N，VDD=5V，4Ω 负载下，提供高达 3.3W 的输出功率

10% THD+N，VDD=5V，2Ω 负载下，提供高达 5.5W 的输出功率

短路电流保护

欠压保护

关断电流 < 0.5uA

LTK5129多种功率封装模式： ESOP-8

过热保护

蓝牙音箱

拉杆音箱

USB 音响

视频机

扩音器等

参数名称	符号	数值	单位
工作电压	Vcc	6.0	V
存储温度	Tstg	-65℃-150℃	℃
输入电压		-0.3 to +（0.3+ Vcc）	V
功率消耗	PD	见附注1	W
结温度		160℃	℃

附注1：最大功耗取决于三个因素：TJMAX，TA，θJA，它的计算公式PDMAX=（TJMAX-TA）/θJA，LTK5129的TJMA=150℃。TA为外部环境的温度，θJA取决于不同的封装形式。

LTK5129 电气参数
LTK5129 CLASS D 模式：
1）静态电气参数
MODE=VDD， ClassD 模式，VDD=5V，TA=25℃的条件下：

信号	参数	测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
VDD	电源电压			2.5	5	5.5	V
IDD	静态电源电流	MODE=VDD；VDD=5V，IO=0A		2	5	8	mA
ISHDN	关断电流	VDD=2.5V 到 5.5V				1	uA
FSW	振荡频率	VDD=2.5V 到 5.5V			480		kHz
Vos	输出失调电压	VDD=5V，VIN=0V			10		mV
η	效率	THD+N=10%, f=1kHz,RL=2Ω；			87		%
		THD+N=10%, f=1kHz,RL=4Ω；			90
OTP	过温保护				155		℃
RDSON	静态导通电阻	IDS=0.5A  VGS=5V	P_MOSFET		180		mΩ
			N_MOSFET		140

 2）动态电气参数
 MODE=VDD， ClassD 模式，VDD=5V，TA=25℃的条件下：

信号	参数	测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
Po	输出功率	THD+N=10%, f=1kHz RL=4Ω；	VDD=5V		3.3		W
			VDD=3.6V		2.4
			VDD=3V		1.8
		THD+N=1%, f=1kHz RL=4Ω；	VDD=5V		2.6		W
			VDD=3.6V		1.8
			VDD=3V		1.2
		THD+N=10%, f=1kHz RL=2Ω；	VDD=5V		5.4	5.5	W
			VDD=3.6V		3.3	3.5
			VDD=3V		2.4	2.6
		THD+N=1%, f=1kHz RL=2Ω；	VDD=5V		4.8	4.9	W
			VDD=3.6V		2.9	3
			VDD=3V		1.4	1.5
THD+N	总谐波失真加噪声	VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω	f=1kHz		0.12		%
		VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω			0.1
		VDD=5V Po=1W,RL=4Ω	f=1kHz		0.12
		VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω			0.1
PSRR	电源电压抑制比	VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS, RL=8Ω, CB=2.2µF			64		dB
SNR	信噪比	VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB			85		dB

 
LTK5129 CLASS AB 模式（ESOP-8封装）
1）静态电气参数
MODE=GND， ClassAB 模式，VDD=5V，TA=25℃的条件下：

信号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
VDD	电源电压		2.5	5	5.5	V
IDD	静态电源电流	VDD=5V，IO=0A	6	10	14	mA
ISHDN	关断电流	VDD=2.5V 到 5.5V			1	uA
Vos	输出失调电压	VDD=5V，VIN=0V		10		mV
OTP	过温保护			155		℃

   
 2）动态电气参数
 MODE=GND， ClassAB 模式，VDD=5V，TA=25℃的条件下：

信号	参数	测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
Po	输出功率	THD+N=10%, f=1kHz RL=4Ω；	VDD=5V		3.3		W
			VDD=3.6V		2.4
			VDD=3V		1.8
		THD+N=1%, f=1kHz RL=4Ω；	VDD=5V		2.6		W
			VDD=3.6V		1.8
			VDD=3V		1.2
		THD+N=10%, f=1kHz RL=2Ω；	VDD=5V		5.4	5.5	W
			VDD=3.6V		3.3	3.5
			VDD=3V		2.4	2.6
		THD+N=1%, f=1kHz RL=2Ω；	VDD=5V		4.8	4.9	W
			VDD=3.6V		2.9	3
			VDD=3V		1.4	1.5
THD+N	总谐波失真加噪声	VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω	f=1kHz		0.18		%
		VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω			0.15
		VDD=5V Po=1W,RL=4Ω	f=1kHz		0.15
		VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω			0.12
PSRR	电源电压抑制比	VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS, RL=8Ω, CB=2.2µF			69		dB
SNR	信噪比	VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB			82		dB