来源:Vishay 作者:Vishay
超结器件支持高额定功率和高密度,同时能够降低传导和开关损耗,从而提高效率
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年4月16日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E,为通信、工业和计算应用提供高效率和高功率密度。与上一代器件相比,Vishay Siliconix N沟道SiHK050N65E的导通电阻降低了48.2 %,而电阻和栅极电荷乘积(功率转换应用中650V MOSFET的重要优值因数(FOM)降低了65.4 %。
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