产品分类
T25S80
T25S80（8M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）和双/四个SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双输入/O数据的传输速度为266Mbit/s，四个输入I/O数据的传输速度为532Mbit/s。
T25S80 一般描述：
T25S80（8M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）和双/四个SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双输入/O数据的传输速度为266Mbit/s，四个输入I/O数据的传输速度为532Mbit/s。
T25S80 特性：
8M位串行闪存
- 1024K字节
- 每个可编程页面256字节
标准、双路、四路SPI
- 标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
- 双SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
- 四路SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
高速时钟频率
- 133MHz用于30PF负载的快速读取
- 双I/O数据传输最高可达266Mbits/s
- 四路I/O数据传输，最高可达532Mbit/s
软件/硬件写保护
- 通过软件对全部/部分内存进行写保护
- 使用WP#引脚启用/禁用保护
- 顶部/底部块保护
耐久性和数据保留
- 最少100000次编程/擦除周期
- 典型的20年数据保留期
允许XiP（就地执行）操作
- 高速读取减少了XiP指令的总获取时间
- 带Wrap的连续读取进一步降低了填充SoC缓存的数据延迟
快速编程/擦除速度
- 页面程序时间：典型值为0.6ms
- 扇区擦除时间：典型45ms
- 块擦除时间：0.15s/0.25s典型
- 芯片擦除时间：典型为3秒
灵活的体系结构
- 4K字节的统一扇区
- 32/64K字节的统一块
低功耗
- 11μA典型待机电流
- 1μA典型深度断电电流
高级安全功能
- 每个设备的128位唯一ID
- 串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器
- 2x1024字节带OTPLocks的安全寄存器
单电源电压
- 全电压范围：2.7-3.6V
包装信息
- SOP8 150mil
- SOP8 208mil
- USON8 (3x2mm, 0.45mm thickness)
- USON8 (3x4mm)
- WSON8 (6x5mm)
T25S80 接线图：
T25S80 框图：
T25S80 双输入/O快速读取序列图（（M7-0=AXH））
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