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DV6268-G2J
DV6268-G2J是采用高耐压 CMOS 工艺，内置高精度电压检测电路和延时电路，用于 1 节锂离子/聚合物可充电电池的保护IC. 可对 1 节锂离子/聚合物电池的过充电、过放电、放电过电流、充电过电流及短路状态进行检测。
DV6268-G2J概述:
DV6268-G2J 是采用高耐压 CMOS 工艺，内置高精度电压检测电路和延时电路，用于 1 节锂离子/聚合物可充电电池的保护
IC。可对 1 节锂离子/聚合物电池的过充电、过放电、放电过电流、充电过电流及短路状态进行检测。
DV6268-G2J特性：
(1)各种检测、释放电压参数及精度
过充电检测电压 4.325V 精度±25mV（Ta=25°C）
Accuracy ±30mV (Ta=-5~+60°C)
过充电释放电压 4.080V 精度±50mV
过放电检测电压 2.500V 精度±50mV
过放电释放电压 2.900V 精度±50mV
放电过电流检测电压 150mV 精度±15mV
充电过电流检测电压 -100mV 精度±20mV
短路检测电压 0.55V 精度±100mV
(2)各种检测延迟时间功能仅通过内置电路可实现（不需要外接电容）
(3)充电器连接端子采用高耐压器件（CS 端绝对最大额定值 40V）
(4)0 V 电池充电的功能 禁止
(5)休眠功能 有
(6)工作温度范围广 Ta=-40°C ~ +85°C
(7)消耗电流低
工作时 3.0μA（典型值），6.0μA（最大值）（Ta=+25°C）
休眠时 0.1μA（最大值）（Ta=+25°C）
(8) 无卤绿色环保封装
DV6268-G2J应用：
单节锂离子可充电电池组
单节锂聚合物可充电电池组
DV6268-G2J封装：
SOT-23-6
DV6268-G2J内部框图：
DV6268-G2J引脚排列示意图：
DV6268-G2J电池保护 IC 的典型应用原理图：
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