产品分类
PE8680K TO252-2L
PE8680K是VDS=60V,ID=80A,RDS(ON)<10.5mΩ @VGS=10V的N-MOS。
PE8680K丝印是PE8680K，PE8680K提供TO-252-2L封装。
PE8680K丝印是PE8680K，PE8680K提供TO-252-2L封装。
PE8680K概述：
PE8680K是VDS=60V,ID=80A,RDS(ON)<10.5mΩ @VGS=10V的N沟道MOSFET。
PE8680K的丝印是PE8680K，PE8680K提供TO-252-2L封装。
PE8680K的丝印是PE8680K，PE8680K提供TO-252-2L封装。
The PE8680K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
PE8680K特性：
VDS=60V, ID =80A
RDS(ON) <10.5mΩ@VGS=10V
Advanced trench MOS technology
Extremely low on-resistance RDS(ON)
Excellent Qg x RDS(ON) product(FOM)
Qualified according to JEDEC criteria
PE8680K应用：
Motor control and drive
Battery management
UPS(uninterruptible power supply)
PE8680K典型应用及引脚：
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