13823761625

产品中心

当前位置: 首页 > 产品中心 > Mosfet > 返回栏目
产品分类

PED30D12M PDFN3.3x3.3-8L

    PED30D12M是VDS=30V,ID=12A,RDS(ON)<14mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<20mΩ@VGS=4.5V的N沟道MOSFER。PED30D12M的丝印是30D12M,PED30D12M提供PDFN3.3x3.3-8L封装。
    The PED30D12M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wid

PED30D12M概述:
    PED30D12M是VDS=30V,ID=12A,RDS(ON)<14mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<20mΩ@VGS=4.5V的N沟道MOSFER。PED30D12M的丝印是30D12M,PED30D12M提供PDFN3.3x3.3-8L封装。
    The PED30D12M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

PED30D12M特性:
VDS = 30V, ID = 12A
RDS(ON) < 14mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 20mΩ @VGS=4.5V
High Power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package

PED30D12M应用:
PWM applications
Load switch
Power management

PED30D12M典型应用及引脚:

请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

版权所有 © 2017 深圳市矽源特科技有限公司All Rights Reserved 粤ICP备17060179号