产品分类
PE8612K TO252-2L
PE8612K是VDS=60V，ID=12A，RDS(ON)<70mΩ @VGS=10V，RDS(ON)<80mΩ @VGS=4.5V的N-MOS。
PE8612K丝印是PE8612K，PE8612K提供TO252-2L封装。
PE8612K丝印是PE8612K，PE8612K提供TO252-2L封装。
PE8612K概述：
PE8612K是VDS=60V，ID=12A，RDS(ON)<70mΩ @VGS=10V，RDS(ON)<80mΩ @VGS=4.5V的N沟道MOSFET。
PE8612K的丝印是PE8612K，PE8612K提供TO252-2L封装。
PE8612K的丝印是PE8612K，PE8612K提供TO252-2L封装。
The PE8612K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
PE8612K特性：
VDS = 60V, ID = 12A
RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=4.5V
High Power and current handingcapability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package
PE8612K应用：
PWM applications
Load switch
Power management
PE8612K典型应用及引脚：
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