产品分类
CST3330M 描述:
CST3330M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=30A的双N沟道Mosfet。提供DFN3030-8L封装。
CST3330M 特性：
沟槽FET功率MOSFET
优秀的RDS（打开）
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
表面安装组件
ESD额定值：2000V HBM
CST3330M 产品概述：
BVDSS | RDSON | ID |
20V | 5.8mΩ | 30A |
CST3330M DFN3030-8L 引脚配置：
CST3330M DFN3030-8L 包装数据：
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