13823761625

产品中心

当前位置: 首页 > 产品中心 > Mosfet > 返回栏目
产品分类

MXB050N08 TO-263

    MXB050N08是VDS=85V,ID=120A,RDS(ON)(Typ.)=5.3mΩ,@VGS=10V的N沟道MOSFET.MXB050N08丝印是050N08.MXB050N08提供TO-263封装.
    The MXB050N08 uses deep trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

MXB050N08概述:
    MXB050N08是VDS=85V,ID=120A,RDS(ON)(Typ.)=5.3mΩ,@VGS=10V的N沟道MOSFET.MXB050N08丝印是050N08.MXB050N08提供TO-263封装.
    The MXB050N08 uses deep trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

MXB050N08特性:

VDS=85V, ID=120A
RDS(ON)(Typ.)=5.3mΩ @ VGS=10V
High Power and current handingcapability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package

MXB050N08应用:

Battery management
Motor controller and driver
UPS
PWM applications

MXB050N08典型应用及引脚:

请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

版权所有 © 2017 深圳市矽源特科技有限公司All Rights Reserved 粤ICP备17060179号