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CST50N10L TO-252

    CST50N10L是BVDSS=100V,RDSON=14mΩ,ID=55A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO-252封装。
    CST50N10L是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST50N10L符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到认可。

CST50N10L 描述:
    CST50N10L是BVDSS=100V,RDSON=14mΩ,ID=55A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO-252封装。
    CST50N10L是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST50N10L符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到认可。

CST50N10L 特点:
超低栅极电荷
绿色设备可用
出色的Cdv/dt效应下降
先进的高细胞密度沟槽技术

CST50N10L 产品概述:
BVDSS
RDSON
ID

100V

14

55A


CST50N10L TO252 引脚配置:
CST50N10L 测试电路:
1)EAS测试电路
2)栅极充电测试电路
3)开关时间测试电路
CST50N10L TO-252包装数据:
CST50N10L TO-252-4R卷盘规格:

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