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CLAS-D 功放

PAM8403

    PAM8403是一颗输出功率为3W的 D 类音频功率放大器 IC;

    PAM8403在 4Ω负载和 5V 电源条件下,提供高达 3W 输出 功率;

    PAM8403采用无铅sop16封装。
    PAM8403概述:
        PAM8403 是一颗输出功率为3W的 D 类音频功率放大器 IC,
        PAM8403具有谐波失真低,噪声串扰小的特点使其对声音的重放得到较好的音质。采用新型无耦合输出及无低通滤波电路之架构,使其可直接驱动喇叭降低了整个方案成本及 PCB 空间的占用。
        在相同的外围元器件个数下,D 类功放 IC PAM8403 比甲类功放的效率要好得多,这样就延长了电池的续航力,是携便式设备(如笔记本电脑等)的理想选择。


    PAM8403特点:
    无滤波器的 D 类放大器,低静态电流和低 EMI;
    在 4Ω负载和 5V 电源条件下,提供高达 3W 输出 功率;
    高达 90%效率;
    低 THD,低噪声;
    短路电流保护;
    热保护;
    极少外部元器件,节省空间和成本;
    PAM8403提供无铅sop16封装。

    PAM8403应用:
    音箱
    便携式音频设备

    PAM8403典型应用电路图:


    PAM8403脚位图:



    PAM8403引脚定义:

    序号 引脚名称 功能说明
    1 +OUT_L 左声道反向输出
    2 PGND 电源负极(左声道)
    3 -OUT_L 左声道同向输出
    4 PVDD 电源正极(左声道)
    5 /MUTE 静音控制输入(低电平有效)
    6 VDD 模拟VDD
    7 INT 左声道输入
    8 VREF 内部模拟基准源,从VREF连一个旁路电容到GND
    9 NC 悬空
    10 INR 右声道输入
    11 GND 模拟接地
    12 /SHDN 系统关断控制(低电平有效)
    13 PVDD 电源VDD(左声道)
    14 -OUT_R 右声道同向输出
    15 PGND 电源地(左声道)
    16 +OUT_R 右声道反向输出


    PAM8403绝对额定值
    (注:这仅仅是最大极限且不保证运行功能。长期在极限条件下工作可能影响器件可靠性。)
    电源电压 ……………………..…………...........6.0V
    输入电压 ....………………….….-0.3V to VDD+0.3V
    工作温度 ……………………………..-40℃ to 85℃
    最大结温 ……………………………………...150℃
    工作结温 …………………….………..…-40℃ to 125℃
    储存温度 ………………….……………. -65℃ to 150℃
    焊接温度 …………………………………… 300℃, 5sec


    PAM8403额定工作条件
    电源电压范围 ……………….………..2.5V to 5.5V
    工作温度范围 ………………….….. -40℃ to 85℃
    结温范围 ……………………………….. -40℃ to 125℃


    PAM8403热信息

    参数 符号 封装 最大值 单位
    热阻 θJA DIP -16 90 ℃/W
    SOP -16 110 ℃/W
      

    PAM8403电气特性 
    (VDD=5V, Gain=24dB, RL=8Ω, TA=25℃, 除非另有说明。)

    符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位
    VIN 电源电压 2.5 -- 5.5 V
    PD 输出功率 THD+N=10%, f=1KHz, RL=4Ω VDD=5.0V -- 3.2 -- W
    VDD=3.6V -- 1.6 --
    VDD=3.0V -- 1.3 --
    THD+N=1%, f=1KHz, RL=4Ω VDD=5.0V -- 2.5 --
    VDD=3.6V -- 1.3 --
    VDD=3.0V -- 0.85 --
    THD+N=10%, f=1KHz, RL=8Ω VDD=5.0V -- 1.8 --
    VDD=3.6V -- 0.9 --
    VDD=3.0V -- 0.6 --
    THD+N=1%, f=1KHz, RL=8Ω VDD=5.0V -- 1.4 --
    VDD=3.6V -- 0.72 --
    VDD=3.0V -- 0.45 --
    THD+N 总谐波失真+噪声 VDD=5.0V, PO=0.5W, RL=8Ω f=1KHz -- 0.15 -- %
    VDD=3.6V, PO=0.5W, RL=8Ω -- 0.11 --
    VDD=5.0V, PO=1W, RL=4Ω f=1KHz -- 0.15 --
    VDD=3.6V, PO=1W, RL=4Ω -- 0.11 --
    GV 增益 -- 24 -- dB
    PSRR 电源纹波抑制比 VDD=5.0V, Inputs ac-grounded with
    CIN=0.47uF
    -- -59 -- dB
    f=1KHz -- -58 --
    CS 通道隔离度 VDD=5V, PO=0.5W, RL=8Ω, GV=20dB f=1KHz -- -95 -- dB
    SNR 信号噪声比 VDD=5V, Vorms=1V, GV=20dB f=1KHz -- 80 -- dB
    Vn 输出噪声 VDD=5.0V, Inputs ac-grounded with
    CIN=0.47uF
    A-weighting -- 100 -- uV
    No A-weighting -- 150 --
    Dyn 动态范围 VDD=5.0V, THD=1% f=1KHz -- 90 -- dB
    η 效率 RL=8Ω, THD=10% f=1KHz -- 87 -- %
    RL=4Ω, THD=10% -- 83 --
    IQ 静态电流 VDD=5.0V No load -- 16 -- mA
    VDD=3.6V -- 10 --
    VDD=3.0V -- 8 --
    IMUTE 屏敝电流 VDD=5.0V VMUTE=0.3V -- 3.5 -- mA
    ISD 关断电流 VDD=2.5V to 5.5V Vsd=0.3V -- <1 -- uA
    Rdson 导通电阻 IDS=500mA, Vgs=5V PMOS -- 180 --
    PMOS -- 140 --
    fsw 转换频率 VDD=3V to 5V -- -- 260 -- KHz
    Vos 输出失调电压 Vin=0V, VDD=5V -- -- 10 -- mV
    VIH Enable 输入高电压 VDD=5.0V -- 1.5 1.4 -- V
    VIL Enable 输入低电压 VDD=5.0V -- -- 0.7 0.4
    VIH MUTE输入高电压 VDD=5.0V -- 1.5 1.4 -- V
    VIL MUTE 输入低电压 VDD=5.0V -- -- 0.7 0.4
    OTP 过温保护 No load, junction temperature VDD=5.0V -- 1400 --
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