NY8A053E是以EPROM作為記憶體的8位元微控制器，專為多IO產品的應用而設計，例如遙控器、風扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能等顯著優勢。NY8A053E核心建立在RISC精簡指令集架構可以很容易地做編輯和控制，共有55條指令。除了少數指令需要2個時序，大多數指令都是1個時序即能完成，可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應用。

    在I/O的資源方面，NY8A053E有12根彈性的雙向I/O腳，每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產品方面，NY8A053E內建了可選擇頻率的紅外載波發射口。

    NY8A053E有兩組計時器，可用系統頻率當作一般的計時的應用或者從外部訊號觸發來計數。另外NY8A053E提供4組10位元解析度的PWM輸出或者蜂鳴器輸出，可用來驅動馬達、LED、或蜂鳴器等等。

    NY8A053E採用雙時鐘機制，高速振盪或者低速振盪都可以分別選擇內部RC振盪或外部Crystal輸入。在雙時鐘機制下，NY8A053E可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節省電力消耗延長電池壽命。並且微控制器在使用內部RC高速振盪時，低速振盪可以同時使用外部精準的Crystal計時。可以維持高速處理同時又能精準計算真實時間。

    在省電的模式下如待機模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中，有多種事件可以觸發中斷喚醒NY8A053E進入正常操作模式(Normal)或慢速模式(Slow mode)來處理突發事件。

NY8A053E特性：

寬廣的工作電壓：

    2.0V ~ 5.5V @系統頻率≦8MHz。

    2.2V ~ 5.5V @系統頻率＞8MHz。

寬廣的工作温度：-40°C~85°C。

1Kx14 bits EPROM。

64 bytes SRAM。

內建準確的低電壓偵測電路(LVD)。14 Level 2.2v ~ 4.15v

內建準確的電壓比較器(Voltage Comparator)。

12 根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PA[3:0]、PB[7:0]。

PA[3:0]及PB[3:0]可選擇輸入時使用內建下拉電阻。

PB[7:0]可選擇上拉電阻或開漏極輸出(Open-Drain)。

PB[3]可選擇當作輸入或開漏極輸出(Open-Drain)。

8層程式堆棧(Stack)。

存取資料有直接或間接定址模式。

一組8位元上數計時器(Timer0)包含可程式化的頻率預除線路。

一組10位元下數計時器(Timer1)可選重複載入或連續下數計時。

4 個10位元的脈衝寬度調變輸出(PWM1~PWM4),PWM1/2/3/4共用Timer1。

一個蜂鳴器輸出(BZ1)。

38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇，同時載波之極性也可以根據數據作選擇。

紅外線載波發射口。

內建上電復位電路(POR)。

內建低壓復位功能(LVR)。

內建看門狗計時(WDT)，可由程式韌體控制開關。

雙時鐘機制，系統可以隨時切換高速振盪或者低速振盪。

    高速振盪: E_HXT(超過 6MHz外部高速石英振盪)

              E_XT(455K~6MHz外部石英振盪)

              I_HRC(1~20MHz內部高速RC振盪)

    低速振盪: E_LXT(32KHz外部低速石英振盪)

              I_LRC(內部 32KHz低速RC振盪)

四種工作模式可隨系統需求調整電流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)。

六種硬體中斷：

    Timer0溢位中斷。

    Timer1借位中斷。

    WDT中斷。

    PB輸入狀態改變中斷。

    外部中斷輸入。

    低電壓偵測中斷。

NY8A053E在待機模式(Standby mode)下的六種喚醒中斷：

    Timer0溢位中斷。

    Timer1借位中斷。

    WDT中斷。

    PB 輸入狀態改變中斷。

    外部中斷輸入。

   低電壓偵測中斷。

NY8A053E在睡眠模式(Halt mode)下的三種喚醒中斷：

    WDT中斷。

    PB輸入狀態改變中斷。

    外部中斷輸入。