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单N-MOS

MXB040N10 TO-263-3L

    MXB040N10是VDS=100V, ID=128A,RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V的N沟道增强模式功率Mosfet。提供TO-263-3L封装。
    MXB040N10采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至10V的栅极电压操作。该装置适用于各种各样的应用。
    MXB040N10 Description/描述:
        MXB040N10是VDS=100V, ID=128A,RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V的N沟道增强模式功率Mosfet。提供TO-263-3L封装。
        MXB040N10采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至10V的栅极电压操作。该装置适用于各种各样的应用。

    MXB040N10 Features/特征:
    VDS=100V, ID=128A
    RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V
    高功率和电流处理能力
    获得无铅产品

    MXB040N10 Application/应用:
    不间断电源
    硬开关和高频电路

    MXB040N10 Pinout/引脚:

    MXB040N10 Ordering Information/订购信息:
    型号
    存储温度
    封装
    最小数量

    MXB040N10

    -55°C to 175°C

    TO-263

    800


    MXB040N10 Test Circuits/测试电路:



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