MXB040N10 Description/描述:
MXB040N10是VDS=100V, ID=128A,RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V的N沟道增强模式功率Mosfet。提供TO-263-3L封装。
MXB040N10采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至10V的栅极电压操作。该装置适用于各种各样的应用。
MXB040N10 Features/特征:
VDS=100V, ID=128A
RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
MXB040N10 Application/应用:
不间断电源
硬开关和高频电路
MXB040N10 Pinout/引脚:
MXB040N10 Ordering Information/订购信息:
型号
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存储温度
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封装
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最小数量
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MXB040N10 |
-55°C to 175°C |
TO-263 |
800 |
MXB040N10 Test Circuits/测试电路: