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单N-MOS

CST12N03M DFN2020-6L

    CST12N03M是BVDSS=30V,RDSON=10mΩ,ID=12A的N沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
    CST12N03M是高单元密度沟槽N沟MOSFET,它为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和效率。
    CST12N03M符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
    CST12N03M 描述:
        CST12N03M是BVDSS=30V,RDSON=10mΩ,ID=12A的N沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
        CST12N03M是高单元密度沟槽N沟MOSFET,它为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和效率。
        CST12N03M符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。

    CST12N03M 特性:
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的Cdv/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST12N03M 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    30V

    10

    12A


    CST12N03M DFN2020-6L 引脚配置:

    CST12N03M DFN2020-6L包装信息:


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