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单N-MOS

CST60N03Z-TO251

    CST60N03Z是BVDSS=30V,RDSON=6.5mΩ,ID=60A的N沟通道快速切换Mosfet。提供TO251封装。
    CST60N03Z是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
    CST60N03Z符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到认可。
    CST60N03Z 描述:
        CST60N03Z是BVDSS=30V,RDSON=6.5mΩ,ID=60A的N沟通道快速切换Mosfet。提供TO251封装。
        CST60N03Z是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
        CST60N03Z符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到认可。

    CST60N03Z 特点:
    超低栅极电荷
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST60N03Z 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    30V

    6.5

    60A


    CST60N03Z TO251 引脚配置:
    CST60N03Z 测试电路:



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