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单N-MOS

CST4N150 SOT23-3L

    CST4N150是BVDSS=150V,RDSON=245mΩ,ID=4.0A的N沟道快速切换Mosfet。提供SOT23-3L封装。
    CST4N150是高单元密度沟槽式N沟MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和效率。
    CST4N150符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
    CST4N150 描述:
        CST4N150是BVDSS=150V,RDSON=245mΩ,ID=4.0A的N沟道快速切换Mosfet。提供SOT23-3L封装。
        CST4N150是高单元密度沟槽式N沟MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和效率。
        CST4N150符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。

    CST4N150 特点:
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的Cdv/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST4N150 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    150V

    245

    4.0A


    CST4N150 SOT23-3L 引脚配置:
    CST4N150 测试电路:


    CST4N150 SOT-23-3L 包装信息:


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