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单N-MOS

CST5N20 TO252

    CST5N20是BVDSS=200V,RDSON=450mΩ,ID=5.5A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
    CST5N20是高单元密度沟槽N沟MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
    CST5N20符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST5N20 描述:
        CST5N20是BVDSS=200V,RDSON=450mΩ,ID=5.5A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
        CST5N20是高单元密度沟槽N沟MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
        CST5N20符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST5N20 特点:
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的Cdv/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST5N20 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    200V

    450

    5.5A


    CST5N20 TO252 引脚配置:
    CST5N20 测试电路:



    CST5N20 TO-252包装数据:
    CST5N20 TO-252卷盘规格:
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