中国上海,2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术,并采用紧凑型DFN8×8封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。
四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比,其体积减小90%以上,并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件,从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装,支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响,实现高速开关性能;以TW054V65C为例,与东芝现有产品相比[5],其开通损耗降低了约55%,关断损耗降低约25%[4],有助于降低设备中的功率损耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线,为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
测量条件:VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH,Rg(外部栅极电阻)=4.7Ω
续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。(截至2025年5月,东芝对比结果)
图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)比较
? 应用:
- 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
? 特性:
- DFN8×8表面贴装封装,实现设备小型化和自动化组装,低开关损耗
- 东芝第3代SiC MOSFET
- 通过优化漂移电阻和沟道电阻比,实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压:VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)
? 主要规格:(除非另有说明,Ta=25°C)
? 相关链接
注:
[1] 截至2025年5月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年5月,东芝测量值。请参考图1。
[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。
如需了解有关新产品的更多信息,请访问以下网址:
TW031V65C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW031V65C.html
TW054V65C
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TW092V65C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW092V65C.html
TW123V65C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW123V65C.html
如需了解东芝SiC功率器件的更多信息,请访问以下网址:
SiC功率器件
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TW031V65C
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TW054V65C
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TW092V65C
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TW123V65C
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