CST3330M 描述:
CST3330M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=30A的双N沟道Mosfet。提供DFN3030-8L封装。
CST3330M 特性：
沟槽FET功率MOSFET
优秀的RDS（打开）
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
表面安装组件
ESD额定值：2000V HBM
CST3330M 产品概述：
|
BVDSS
|
RDSON
|
ID
|
|
20V |
5.8mΩ |
30A |
CST3330M DFN3030-8L 引脚配置：
CST3330M DFN3030-8L 包装数据：
发送邮件
商务QQ客服
13823761625
