CST8G02M 描述:
CST8G02M是N-Ch：BVDSS=20V,RDSON=12mΩ,ID=8A;P-Ch：BVDSS=-20V,RDSON=17mΩ,ID=-8A的N+P双通道快速切换Mosfet。提供DFN2020-8L封装。
CST8G02M是高单元密度沟槽式N沟MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
CST8G02M符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认证。
CST8G02M 特点:
超低栅极电荷
绿色设备可用
出色的CdV/dt效应下降
先进的高细胞密度沟槽技术
CST8G02M 产品概述:
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BVDSS
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RDSON
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ID
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20V |
12mΩ |
8A |
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-20V
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17mΩ |
-8A
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CST8G02M DFN2020-8L 引脚配置:
CST8G02M DFN2020-8L封装信息:
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