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单N-MOS

CST30N02

    CST30N02是BVDSS=20V,RDSON=12mΩ,ID=30A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
    CST30N02是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
    CST30N02符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST30N02 描述:
        CST30N02是BVDSS=20V,RDSON=12mΩ,ID=30A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
        CST30N02是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
        CST30N02符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST30N02 特性:
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST30N02 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    20V

    12

    30A


    CST30N02 TO252 引脚配置:
    CST30N02 TO-252-4R封装数据:
    CST30N02 TO-252-4R卷盘规格:
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