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单P-MOS

CST30P10D DFN2020-6L

    CST30P10D是BVDSS=-30V,RDSON=19mΩ,ID=-10A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
    CST30P10D是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST30P10D符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。
    CST30P10D 描述:
        CST30P10D是BVDSS=-30V,RDSON=19mΩ,ID=-10A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
        CST30P10D是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST30P10D符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。

    CST30P10D 特点:
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST30P10D 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    -30V

    19

    -10A


    CST30P10D DFN2020-6L 引脚配置:
    CST30P10D 测试电路:

    CST30P10D DFN2020-6L 包装信息:


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