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双N-MOS

TXY8205 TSOP8/SOT23-6

    TXY8205是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)25mΩ@VGS=4.5V,RDS(ON)40mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET.
    TXY8205提供TSOP8/SOT23-6封装.
    TXY8205概述:
        TXY8205是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)25mΩ@VGS=4.5V,RDS(ON)40mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET.
        TXY8205提供TSOP8/SOT23-6封装.

    TXY8205特性:
    VDS=20V,ID=6A
    RDS(ON)25mΩ@VGS=4.5V
    RDS(ON)40mΩ@VGS=2.5V
    High Density cell trench design for low Rds(on) 
    Rugged and reliable 
    Surface Mount package 
    Lead Free Available(Green Product)

    TXY8205原理图及引脚图:

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